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技术指标(5).激励电平
                                         发布日期惰检感:2009-4-23   点 击 数:5895 

      激励电平的影响
     实际上晶撑浦,所有晶体元件的频率都在一定程度上随激励电平变化而变化欢峦摄,一般来说钾揭陵,AT切晶体的频率会随激励电平增大而略有升高抗。过高的激励电平会导致谐振器温度特性的畸变平,并激活寄生模乓。过高的激励使晶体发热和应力过大侮,从而产生不可逆的频率漂移驴。
     非常低的激励电平(数微瓦或更低)下仁,晶体元件的谐振电阻可能比在额定激励电平下电阻值高很多淖,以致使振荡器起振困难叼滩鼓。这种效应经过一段非工作状态的贮存后会加剧梦,这就是激励电平相关性(DLD)吻羞。因此滔拾,晶体在电路中实际使用的激励电平不应过大和过小士拘。
 

     下面是IEC推荐的激励功率的常用值霓胸履。
 2mw拜饲墩、1mw娶坍挽、0.1mw(100μw)岗抢泛、0.05mw(50μw)尽邓、0.02mw(20μw)俯爬、0.01mw(10μw)创费闻、0.001 mw(1μw)
      优选值  5MHz以下  500μw裤,一般   100μw

 
 
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