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技术指标(8).负载电容和频率牵引
                                         发布日期勘寿侈:2009-4-23   点 击 数:10720 

负载电容和频率牵引
      在许多情况下藩,都有用负载电容来牵引晶体频率的要求阜滇。这对于调整制造公差翱轻,在锁相回路中以及调频应用中可能是必要的颇慰。
      图8a媳探菲、是不带负载电容的晶体元件窍汉屑,晶体元件跟负载并联泄。
      图8b是晶体元件跟负载电容CL串联粪味,串联负载电容主要用在振荡器电路中老刊壁,
      晶体和电容器组合相当于一个在负载谐振器频率fL处具有图12a相类似的低阻抗状态的晶体元件市梆脓。
      图8c CL与晶体元件并联的蛊恰诉,网络在谐振频率上呈高阻抗克匪,这种组合主要用在滤波器电路中铜抠,其Q值会大大降低溪。


 
     

               a)单独的晶体元件  b)晶体元件和负载电容CL串联   c)晶体元件与负载电容CL并联
                                                                图8

     无论是负载电容与晶体元件串联还是并联纳暖,负载电容对负载谐振频率的影响都是相同的床董,下式能算出相对负载谐振频率偏移

     
        其中fL 某一负载电容下的负载频率匿,
              fr负载电容CL=∞的晶体谐振频率(图8a)典。
 

      有时用牵引灵敏度表示负载电容对频率的调节能力
      
     下表是典型条件的牵引灵敏度(不同的型号的晶体盒的值会有不同)
           
        表2  在标称负载电容值时的典型牵引灵敏度10-6/pf
    
      切型                  CL=20pF      CL=30pF       CL=50pF 
    AT切基频              10~20              4~12             2~5 
    AT切三次泛音        1.5~2.5           1~1.5          0.3~0.6 
    AT切五次泛音        0.2~1            0.1~0.5       0.04~0.2 
    AT切七次泛音       △f/PF太衅摇,没有什么用处 
    BT切                      6~14              3~8              1~3 
   
    通常负载电容的值越大对频率所产生的牵引越谢恰,负载电容的优选值见表3釜,需要注意的是煽刑,如果负载电容过小则可能造成振荡电路起振困难焕歌韦,同时使用小的负载电容时痕扮炼,电容值稍有变化时会造成频率产生较大的漂移寄。如采用10pF的负载电容的基音每pF可以牵引50×10-6的频率变化雇呕,对元件频率测量时驾筹沥,频率测量的准确度会比较难以控制钙幌抹。如果确有需要应与供应商进行频率的比对铺萎,确保满足使用要求逃弦省。
   下面的标准值是IEC的推荐值悉袜,建议选用丘贪。当特殊需要时应与制造商沟通填堡。在负载电容小于10pF时地擎巾,频率测量精度会受到不利影响

                 表3  IEC推荐的负载电容值
         振动模式             电容值(pF) 
         基频                  20  , 30  , 50   ,100 
         泛音                   8 ,  12   ,15    ,20 ,  30 

 

 
 
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